5月LED產業觀察(LED Observer Monthly MAY09, Chasing AIXTRON) -- 追逐愛思強

國外篇

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在5月7號 AIXTRON (NASDAQ:AIXG)公布了2009年Q1的財務報告。在這份財務報告的主要內容是

• 營收為 EUR 46.2m 較08Q1下降了 26%，比08Q4下降44%。
• 毛利率比前一季增加2%到 45%，也比08Q1增加 6%。
• 本季訂單惟 EUR 31.2m, 比08Q4少了23%，而且比一年前少了 64% 。其中 98% 是化合物半導體的設備。
• 在手訂單為 EUR 100.7m ，其中只有7 % 是矽半導體的訂單。這個數字比081Q的 EUR 157.3m 下降了 36%，不過比08Q4下降 4%。其中 EUR 96m 的在手訂單會在2009年底前交貨。
• 2009年的營收額約在EUR 200-220m之間，營業利益率( EBIT margin)約為10-11%之間。
  

不過我最有興趣的是在公司報告中的Order Intake與Backlog。這張圖幾乎顯示著未來一年LED磊晶設備MOCVD的供應狀況，以及LED上游磊晶廠對未來的展望。

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雖然09Q1的出貨量不如人意，Order Intake也不佳，但是整個產業確有好消息，在手的訂單有客戶在催促交貨，而且公司上調了對2009年整年的營收預期。

這對台灣的LED上游磊晶產業有什麼影響?

首先，由AIXG 在手訂單及過去兩年的季營收表現來看，2009Q2的新增訂單只能在2009年底交貨，亦即在今年的旺季前(10月底)的設備數量已經確定，如果有廠商下訂，產能的開出將在2010Q1的季底以後。

而明顯地，從AIXG公布的訂單狀及我所關心的韓國三星設備訂單，產能開出將在明年，而不是今年。在AIXG交貨給三星的同時，三星對台灣的訂單，會不會有一對一的取代效應呢?值得2010Q2觀察。

另外一些LED上游的二線廠商在2009Q1才展開募資等手續，那麼設備的交貨已經到2010Q2以後了，再經過設備的調校，產能開出可能已經是2010Q3，那目前高漲的股價能夠支撐到那個時候嗎?這些都值得觀察。


國內篇

另外臺股股東會已經告一段落，各公司均已提供股東會年報，在此將97年度的LED上游磊晶廠的產能/產量/均產值 數字統整如下，各公司的資料均取自各公司年報。這裡有去年統計資料。

2448 晶電

97 年產能 /產量/ 均產值
晶圓 751.98 K in2 /477.49K in2/ 2248.69 (兩吋片)
晶粒 39,720 KK /39,157KK / 0.24

MOCVD 設備數: 176

3061 燦圓

97 年產能 /產量/ 均產值
晶圓 405.66 K / 15.49 K / 1623.4 (片)
晶粒 6,301 KK /5121.1 KK / 0.24

MOCVD 設備數: 27

6289 華上

97 年產能 /產量 / 均產值
晶圓 2160 K in2 / 732.57 K in2 / 2706 (兩吋片)
晶粒 10,500 KK /5,142.99 KK / 0.291

MOCVD 設備數: 40 (華上 97 產能未提升)

3339 泰谷

97 年產能 /產量 / 均產值
晶圓 N.A. / 90.61 K 片 / 3535 (片)
晶粒 3,782.65 KK /2,775.88 KK / 0.253

MOCVD 設備數: 27 24

3383 新世紀

97 年產能 /產量 / 均產值
晶圓 240 K / 222 K 片 / 1671 (片)
晶粒 3,600KK /3,380.54 KK /0.181

MOCVD 設備數: 25

8199 廣鎵 (興櫃)

97 年產能 /產量 / 均產值
晶圓 612 K / 8.68 K 片 / 1474 (片)
晶粒 10,740 KK /9,778 KK / 0.149

MOCVD 設備數: N.A

3517 洲磊 (興櫃)

97 年產能 /產量 / 均產值
晶圓 98 K / 89.59 K 片 / 2399 (片)
晶粒 10,000 KK / 9,425 KK / 0.1

MOCVD 設備數: N.A

3656 聯勝光電 (興櫃)

97 年產能 /產量 / 均產值
晶圓 N.A. / 8.77 K 片 / 4775 (片)
晶粒 395.98 KK /472.28 KK / 0.51

MOCVD 設備數: N.A

註:聯勝晶圓均產值來自銷售值

MOCVD 設備數來源: 誰是台積電LED新娘？；康和證券:2008:下半年LED產業概況

4月LED產業觀察(LED Observer Monthly APR09, Imprint leds the way) -- 奈米壓印光子晶體

國外篇

2009APR20 Imprint Rides Photonic Crystal Wave

發光二極體(Light-emitting diodes, LEDs)可以使用壓印蝕刻技術(imprint lithography)所製出的光子晶體(photonic crystals)來改善效率。有許多個LED製造商正發展光子晶體的技術來改善光萃取的效率與光源的形狀。但是仍有仍有許多的挑戰，例如晶片不是非常的乾淨且平坦，而且會在表面長成數個微米的節點。

從一系列發布的新聞中，暗示使用光子晶體的LED產品已經從利基的產品如LED的背光產品(按 Luminus Device 的產品)到大量量產的高亮度LED。

* 洲磊宣佈將在4月份開始採用子公司旭晶光的光子晶體產品來開發高亮度的照明產品。

*本月Lumileds則發表了薄型 (700 nm) 的光子晶體可以到達73%的光子萃取效率。

*先行者 Luminus Devices在二月與日亞化簽訂交叉授權協定。

* Cree在2008年底發表具有107 lm/W 的光子晶體LED。

* 旭晶光從 Mesophotonics 取得智慧財產權，並且從瑞典Obducat取得$13M美元的設備。

光子晶體在過去十年裡常在LED產業中被引述，作為改進LED光萃取效率與光源的形狀的工具。LED所使用的半導體素材是一種高反射性的平面厚板，可以導光，可是卻將大部分的光圈存在這個導光的物體中。

很大一部分的LED發明重點就是將表面給粗化，或是增加反光層將光從導光體中萃取出來。 另外一個解決方案就是使用光子晶體。

傳統使用光子晶體的場合是作為光導的外射連接器。用直徑小於射出光的光波長洞，以矩陣型行分布在光導的某個維度上，就不會有光射出光導，接著所有的光就會垂直射出光導的平面。以光子晶體來說，就是在光導中有一個光學能隙(optical bandgap)。

但不幸的是，在LED中，產生光子的量子井不能有洞，如果有洞這些洞會與流動的電子起相互作用，而不穿過量子井，結果製作LED的公司就不能使用傳統的光子晶體。Massachusetts Institute of Technology (MIT), Cree, Luminus Devices, Lumileds, Mesophotonics, Nanonex與許多大學的研發團隊發表了許多的論文論述如何將光子晶體應用在有實際應用價值的LED元件中。研究的趨勢是比較薄的LED可以在LED中製作出比較像是傳統結構的光子晶體，而且也比較可行。Luminus Devices Inc.是第一個賣光子晶體LED的公司，該公司主要瞄準投影機的市場。

目前是採用的時機嗎?

LED已經可以超越螢光燈的效能了，所以下一步的里程碑將是它的成本。以維護的成本比較高的應用來說，如交通號誌，LED已經可以弭平價格差距。但是LED燈具最大的價格差距是LED燈具所採用的散熱器。雖然LED使用比較少的能源，但是它必須比一般的燈源更需要保持涼快，所以需要大量的散熱器在LED的照明燈具中。

如過只需要加少點的成本做出光子晶體在LED上，就可以使用較少的能源卻提供比較高的光萃取效率或定義光的方向，哪就麼LED就可以變得普及。一片晶圓數百美元來計算，只要增加數十美元的蝕刻成本是可以接受的，而目前壓印技術也可以輕易達到。不過目前的問題在於LED的設計者是不是認為採用光子晶體的技術是改進LED的諸多方式中最有效的方法。

誰將獲利?

就LED光子晶體的專利而言，目前只有一些公司擁有，第一個答案是在未來的訴訟官司中與這些公司有關係的律師們。第二個答案則是這些技術的擁有者與被授權者，日亞化，洲磊，CREE，Lumileds這些將是以光子晶體為技術利基的高亮度LED產品市場的強棒。

其他的贏家則包含要製作出光子晶體的技術的上下游供應鏈廠商，這些技術包含蝕刻( lithography)與濕式乾式蝕刻( etch)。以今日的技術水準而言，蝕刻技術至少要到200 nm。技術的挑戰在於，晶片不是非常的乾淨且平坦，而且會在表面長成數個微米的節點，不利形成光子晶體。不平坦的表面直接原因是因為晶圓(如碳化矽或是藍寶石)，與高於900°C沉積在晶圓上的氮化鎵化合物半導體不均勻的熱膨脹係數所致。這兩層就像兩種不同的金屬條結合成馬鈴薯片一樣的結構，而且熱壓處理的製成，導致無法使用較大的晶圓。節點則是沉積過程的附帶產物，尤其當產物不是完美的在晶圓與化合物半導體產生晶格的時候。最後LED的接點大約只有50µm，它還常在不是非常乾淨的晶圓廠裏生產(這樣會導致良率下降)。

許多光子晶體的研究成果是使用電子束蝕刻與早先發展的手動壓印系統。這些可溶解的薄膜模來自Transfer Devices Inc，該公司發展一種使用原子轉移的蝕刻技術，有許多的研究機構採用，尤其是哪些採用手動壓印工具的機構。Obducat 從旭晶光得到第一臺自動生產系統的訂單，同時這也是目前LED晶圓製造商所下的最大訂單。

Obducat的解決方案使用一個熱壓印模，將圖樣印在一個中介的薄膜模(film mold)，再將這個模壓印在LED的晶圓上。使用薄膜模的優點是它可以密合在馬鈴薯片構型的晶圓與節點上，而且不怕薄膜有損害，因為它只用一次。還有這個薄膜可以可以把熱壓印頭與不潔的晶圓隔開。壓覆薄膜在LED上並不是一件困難的事，可伸縮的薄膜模更不是問題。Obducat已經成功將技術售出，並從晶電，Luminus Devices與Luxtalek得到訂單。

市場上仍有其他競爭者。Molecular Imprints Inc.正在客制化他的碟片壓印工具以為LED產品市場所用，並且發表了光子晶體的新聞。SUSS MicroTec則是發表了以他們新的彈性化鑄模技術(Substrate Conformal Imprint Lithography ,SCIL)所製出的光子晶體。同時 EV Group與SUSS在LED的光罩光學修正印表機有很高的佔有率。


國內篇

目前國內的LED業者大舉投入奈米壓印(imprint)這項技術以製作光子晶體LED的除了晶電以外，就是由李洲與州磊曜富所投資的旭晶光(LUXTALTEK)不過旭晶光的新聞並不多。就Google所及的資料，位各位作報導。

• 公司基本資料簡介
  
• LuxtalTek公司網站
  
• 104簡介
  

相關新聞

• 2008JUN25 垂直整合LED業務李洲 投資旭晶光
• 2008JUL17 李洲投資旭晶光科技跨足光子晶體 整體戰力大幅提升
• 2008AUG25 Obduca納米壓印設備 全力支持台灣旭晶光科技
• 2008DEC15 光子晶體技術增加太陽能電池轉換效率 旭晶光科技握有技術優勢 並率先量產
• 2009JAN20 新建10K無塵室
  

在2008年8月25日的報導中說，納米壓印設備供應商Obducat AB日前宣佈獲得台灣旭晶光科技兩套壓印設備的訂單。此次訂單總價350萬美元，包括一套產能30 wph的Sindre 400 NIL設備及產能2 wph的Sindre 60設備。Obducat與Luxtaltek業務合作關係密切，雙方表示未來3-5年裡還將達成1250萬美元的交易。

不過到了2008年的年底，公司就準備開發太陽能電池。嗯，奈米壓印的技術與設備真是好用。

時序到了2009年，公司擴建無塵室完成，開始下一波的募資。不過從公司提交給創投的資料來看，經營績效似乎不佳，2009仍不會賺錢，不知道是不是客戶仍不採用他們家技術的關係。目前不清楚該公司的經營狀況如何，歡迎讀者提供新的訊息。

6月LED 產業觀察 -- EPA 與 DoE 的標準衝突

國外篇

EPA 與 DoE 分別發布照明燈具使用的 Energy Star 標準

【總合外電報導】

Energy Star是由Depart of Energy, DOE (美國能源部)與Environment Protect Agency, EPA(美國環保署)所共同管理的標章計劃，主要在認證具備比較高能源使用效率的產品，以為大眾參考。例如在電腦的相關產品，你都可找到Energy Star的商標。

事情的起因是DOE先在2007年的12月公佈了"Solid State Lighting Program Requirements" 的1.0版(
DOE's Solid State Lighting Program Requirements version 1.0)，將在2008年的9月1日施行。

在DOE所公佈的固態照明標準中，Category A 的產品，要求在2011年發光效率可以達到 70 lm/W 以上的標準。在戶外照明的商品方面，照明燈具的能源效率必須比擬金屬鹵素燈，能源效率必須達到35 lm/W。

而EPA則是在6月2日公佈 Residential Light Fixture criteria家用照明設備標準的4.2版 (
EPA's Residential Light Fixture criteria version 4.2)。在這個標準照明燈具的亮度與能源消耗大於某個標準即可。

CompoundSemi Online產業的批評者認為EPA所推出的標準只是為了在Energy Star的計畫中佔有一席之地，EPA並未對Energy Star在各領域的應用有所著墨，也沒有與參與SSL的產業扶植。在稍後EPA澄清對RFL4.2的標準後，CS Onine的發行人仍對EPA多所批評。EPA的標準並未對技術設限，但是對於這樣的標準未經由相關人士共同檢閱再行發布相當感冒。

由於EPA的標準的公佈並沒有廣召業界來討論這套標準，直接發佈，讓產業界的媒體大感不解，要求DOE說明兩者個差別與解決方案。面對同一項產品可能必須要通過兩的產品規格的檢驗，而且這兩個標準還有標準門檻不一的問題，美國的固態照明產業(也是照明產業)與相關的使用者(如 PG & E)紛紛發難，要求這兩個單位要有一致的標準，不要讓產業界無所適從。

DOE表示，他們也認同只要有固態找明產業只要有個標準就可以了，兩個標準在同一項產品上適用會造成市場的混淆，重複的市場分析能量與官署的對話窗口會增加「能源之星」推的廣成本，最終會傷害到「能源之星」這個品牌標章。DOE將會盡快解決這個爭議，並且要業界在這個混亂的時刻稍加忍耐。

LEDs Magazine 的相關報導

●EPA clouds the air with LED Energy Star criteria

●Energy Star Wars and the battle to label LED fixtures

●DOE responds to EPA issuance of SSL criteria

●DOE to host webcast on Energy Star, releases more CALiPER data

●How many other Energy Stars are 'burn-outs'?

●EPA hosts low-key webcast on Energy Star

●DOE webcast reaffirms September 30 start for Energy Star


這件事情在七月仍繼續有發展，EPA已經開始徵求對RLF 4.2的意見，我將持續追蹤。不過看到國內的廠商參加的是被猛批是EPA標準幕後的 ASSIST的計畫，不知該是喜還是憂。


國內篇

臺灣最接近DoE與EPA的政府機關，大概就是能源局與環保署。這兩個官署分別發放節能標章與環保標章，不過這兩個標章目前都還沒有針對固態照明商品發放標章(目前的螢光燈管節能標章發放標準)，所以不會有像美國這樣兩個跟耗能產品相關的官署槓上的情形。

另外臺股股東會已經告一段落，各公司均以提供股東會年報，仿照去年10月的LED產業觀察，將96年度的LED上游磊晶廠的產能/產量/均產值 數字統整如下，各公司的資料均取自各公司年報。

2448 晶電

96 年產能 /產量/ 均產值
晶圓 1369.9 K in2 /969.9K in2/ 1645.17 (兩吋片)
晶粒 36,000 KK /31,630KK / 0.282

97 年預估產量
晶圓 382.5 K in2 / 169.1 K 片
晶粒 31,361 KK


3061 燦圓

96 年產能 /產量/ 均產值
晶圓 244.89 K / 9.62 K / 3172 (片)
晶粒 4491 KK /3033.039 KK / 0.335

6289 華上

96 年產能 /產量 / 均產值
晶圓 2160 K in2 / 1580.4 K in2 / 1149 (兩吋片)
晶粒 10500 KK /8136.2 KK / 0.218

3339 泰谷

96 年產能 /產量 / 均產值
晶圓 N.A. / 84.28 K 片 / 4219 (片)
晶粒 2263.8 KK /996.95 KK / 0.395

3383 新世紀

96 年產能 /產量 / 均產值
晶圓 200 K / 178 K 片 / 1623 (片)
晶粒 2500 KK /2243.929 KK / 0.159

8199 廣鎵 (興櫃)

96 年產能 /產量 / 均產值
晶圓 13.1 K / 13 K 片 / 2287 (片)
晶粒 5403 KK /5133 KK / 0.234

3517 洲磊曜富 (興櫃)

96 年產能 /產量 / 均產值
晶圓 64 K / 59 K 片 / 1994 (片)
晶粒 7000 KK /6877 KK / 0.092

由於目前的MOCVD磊晶片技術以兩吋片為大宗，所以我猜測每一家的每片應該都是兩吋片，所以如果該公司的產能是以英吋平方計的話，我會將他換算成兩吋片的產值。每一家的的均產值差別蠻大的。

在統計的過程有一家很奇怪，每片晶圓的產值與銷售值差了兩倍，所以我採單價比較低的，怎麼會這樣啊？